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codice articolo del costruttore | CE201210-3N3K |
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Numero di parte futuro | FT-CE201210-3N3K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CE201210 |
CE201210-3N3K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Multilayer |
Materiale: core | Ceramic |
Induttanza | 3.3nH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 130 mOhm Max |
Q @ Freq | 16 @ 100MHz |
Frequenza - Autorisonante | 4GHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.041" (1.03mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CE201210-3N3K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CE201210-3N3K-FT |
CI100505-3N3D
Bourns Inc.
CI100505-47NJ
Bourns Inc.
CI100505-5N6D
Bourns Inc.
CI100505-68NJ
Bourns Inc.
CI100505-82NJ
Bourns Inc.
CI100505-8N2J
Bourns Inc.
CI100505-7N5J
Bourns Inc.
CF453215-100K
Bourns Inc.
CF453215-120K
Bourns Inc.
CF453215-150K
Bourns Inc.
ICE40HX640-VQ100
Lattice Semiconductor Corporation
XCS10XL-4VQ100C
Xilinx Inc.
AGLN060V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP1M350F780C5
Intel
5SGXMA5N1F45C1N
Intel
EP4SE820H40C4N
Intel
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
EP2AGX190EF29C5N
Intel
EPF10K50VBC356-4
Intel
EP3C40F324C8N
Intel