casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Array / CDST-56-G
codice articolo del costruttore | CDST-56-G |
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Numero di parte futuro | FT-CDST-56-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDST-56-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Configurazione diodi | 1 Pair Common Anode |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 70V |
Corrente - Rettificato medio (Io) (per diodo) | 200mA (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.25V @ 150mA |
Velocità | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tempo di recupero inverso (trr) | 6ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 2.5µA @ 70V |
Temperatura operativa - Giunzione | 150°C (Max) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDST-56-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDST-56-G-FT |
BAV70HDWQ-13
Diodes Incorporated
MMBD4448HSDW-7-F
Diodes Incorporated
BAT54SDW-7-F
Diodes Incorporated
BAW56HDW-13
Diodes Incorporated
BAS40BRW-7-F
Diodes Incorporated
BAS16HTW-13
Diodes Incorporated
BAV99HDWQ-13
Diodes Incorporated
MMBD4148TW-7-F
Diodes Incorporated
MMBD4448HAQW-7-F
Diodes Incorporated
BAT54DW-7-F
Diodes Incorporated
XC6SLX150T-3FGG676C
Xilinx Inc.
LFE2M70SE-6F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG324C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K2F40C3N
Intel
EP3SL200H780I3N
Intel
EP2AGX125DF25I3
Intel
5SGXEA9K2H40I3L
Intel
XC7VX485T-3FFG1157E
Xilinx Inc.
EP2AGX125EF29C5NES
Intel
EP1S30F780C8N
Intel