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codice articolo del costruttore | CDR10D48MNNP-100NC |
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Numero di parte futuro | FT-CDR10D48MNNP-100NC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CDR10D48MN |
CDR10D48MNNP-100NC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±25% |
Valutazione attuale | 4.3A |
Corrente - Saturazione | 5.5A |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 40 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 100kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.433" L x 0.394" W (11.00mm x 10.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.197" (5.00mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR10D48MNNP-100NC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDR10D48MNNP-100NC-FT |
UP5S-681-R
Eaton - Electronics Division
7443763521015
Wurth Electronics Inc.
7443763521022
Wurth Electronics Inc.
7443763521033
Wurth Electronics Inc.
7443763540068
Wurth Electronics Inc.
7443763540100
Wurth Electronics Inc.
7443763540150
Wurth Electronics Inc.
7443763540220
Wurth Electronics Inc.
7443763540330
Wurth Electronics Inc.
7443763540470
Wurth Electronics Inc.
XA3S200A-4FTG256Q
Xilinx Inc.
XC3S400-4FGG456C
Xilinx Inc.
A54SX72A-FGG484
Microsemi Corporation
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
APA1000-BG456M
Microsemi Corporation
A3PE3000-2PQG208I
Microsemi Corporation
10M08DCF256C7G
Intel
5SGXEABK2H40C2LN
Intel
XCV100-4BG256C
Xilinx Inc.
AGL1000V5-FGG144
Microsemi Corporation