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codice articolo del costruttore | CDR105BNP-271KC |
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Numero di parte futuro | FT-CDR105BNP-271KC |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CDR105B |
CDR105BNP-271KC Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | - |
Materiale: core | - |
Induttanza | 270µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 410mA |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Shielded |
Resistenza DC (DCR) | 870 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 5MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 100°C |
Frequenza di induttanza - Test | 1kHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | Nonstandard |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.394" L x 0.354" W (10.00mm x 9.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.217" (5.50mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDR105BNP-271KC Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDR105BNP-271KC-FT |
UP5S-102-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-150-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-151-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-220-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-221-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-330-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-331-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-470-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-471-R
Eaton - Electronics Division
UP5S-680-R
Eaton - Electronics Division
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel