casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDLL5819
codice articolo del costruttore | CDLL5819 |
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Numero di parte futuro | FT-CDLL5819 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDLL5819 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 45V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 490mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 45V |
Capacità @ Vr, F | 70pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-213AB |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDLL5819 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDLL5819-FT |
HER107-AP
Micro Commercial Co
HER107-TP
Micro Commercial Co
HER108-AP
Micro Commercial Co
HER108-TP
Micro Commercial Co
MUR105-AP
Micro Commercial Co
MUR105-TP
Micro Commercial Co
MUR110-AP
Micro Commercial Co
MUR110-TP
Micro Commercial Co
MUR1100-AP
Micro Commercial Co
MUR115-AP
Micro Commercial Co
A40MX04-VQ80A
Microsemi Corporation
XC2VP30-5FGG676C
Xilinx Inc.
APA750-BG456I
Microsemi Corporation
AFS250-FGG256
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQ100I
Microsemi Corporation
5SGSED8N2F45I3LN
Intel
EP3SE80F1152C3N
Intel
10AX057K3F35E2LG
Intel
EP1S40F780I6
Intel
EP1SGX40GF1020C6
Intel