casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDBMTS180-HF
codice articolo del costruttore | CDBMTS180-HF |
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Numero di parte futuro | FT-CDBMTS180-HF |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBMTS180-HF Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 80V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 80V |
Capacità @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123S |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOD-123S |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBMTS180-HF Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDBMTS180-HF-FT |
BAT43-L0 R0G
Taiwan Semiconductor Corporation
BAT46WJ/DG/B2,115
Nexperia USA Inc.
BAT46WJ/ZLF
Nexperia USA Inc.
BAT46WJ/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAT54AWF
Nexperia USA Inc.
BAT54CWF
Nexperia USA Inc.
BAT54J/ZLX
Nexperia USA Inc.
BAT54SWF
Nexperia USA Inc.
BAT750-13-F
Diodes Incorporated
BAT760-7-36
Diodes Incorporated
XC3042A-7PQ100C
Xilinx Inc.
M2GL050-FCSG325
Microsemi Corporation
M2GL010TS-1VFG256T2
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40C2N
Intel
10AX027H3F34E2SG
Intel
XCS10-4PC84C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-7FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-6F484I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA7G4F31C4N
Intel
EP2AGX95EF35C6ES
Intel