casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDBM120-G
codice articolo del costruttore | CDBM120-G |
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Numero di parte futuro | FT-CDBM120-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBM120-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 20V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 500mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 20V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123T |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini SMA/SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBM120-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDBM120-G-FT |
1N5392S-T
Diodes Incorporated
1N5393S-T
Diodes Incorporated
1N5395S-T
Diodes Incorporated
1N5397S-T
Diodes Incorporated
1N5398S-T
Diodes Incorporated
1N5399S-T
Diodes Incorporated
1N5818-B
Diodes Incorporated
FR106-T
Diodes Incorporated
FR107-T
Diodes Incorporated
HER101-T
Diodes Incorporated
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel