casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDBM1100-G
codice articolo del costruttore | CDBM1100-G |
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Numero di parte futuro | FT-CDBM1100-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBM1100-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 120pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOD-123T |
Pacchetto dispositivo fornitore | Mini SMA/SOD-123 |
Temperatura operativa - Giunzione | -50°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBM1100-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDBM1100-G-FT |
1N4937L-T
Diodes Incorporated
1N5391S-T
Diodes Incorporated
1N5392S-T
Diodes Incorporated
1N5393S-T
Diodes Incorporated
1N5395S-T
Diodes Incorporated
1N5397S-T
Diodes Incorporated
1N5398S-T
Diodes Incorporated
1N5399S-T
Diodes Incorporated
1N5818-B
Diodes Incorporated
FR106-T
Diodes Incorporated
LCMXO2-2000ZE-2TG144C
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A75T-2FTG256I
Xilinx Inc.
M2GL025-1VFG400I
Microsemi Corporation
5SGXEA7N3F45C4N
Intel
XC7A200T-L1FB484I
Xilinx Inc.
XCKU3P-1SFVB784I
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-4MG184I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35I3
Intel
EP20K100EQC208-2XN
Intel