casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CDBD2SC21200-G
codice articolo del costruttore | CDBD2SC21200-G |
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Numero di parte futuro | FT-CDBD2SC21200-G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CDBD2SC21200-G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6.2A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7V @ 2A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 136pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263 (D2Pak) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CDBD2SC21200-G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CDBD2SC21200-G-FT |
CDBMT280-HF
Comchip Technology
CFRMT101-HF
Comchip Technology
CFRMT102-HF
Comchip Technology
CFRMT103-HF
Comchip Technology
CFRMT106-HF
Comchip Technology
CGRMT4001-HF
Comchip Technology
CGRMT4002-HF
Comchip Technology
CGRMT4003-HF
Comchip Technology
CGRMT4006-HF
Comchip Technology
CSFMT101-HF
Comchip Technology
A54SX32A-TQ144
Microsemi Corporation
M1AFS1500-FGG484
Microsemi Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
EP4CE15F17C8L
Intel
5SGXEA7N3F40C2L
Intel
5SGXEB6R3F43C4N
Intel
LFXP6E-4F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4M100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K30QC208-2N
Intel