casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CD214B-R3200
codice articolo del costruttore | CD214B-R3200 |
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Numero di parte futuro | FT-CD214B-R3200 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CD214B-R3200 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB (DO-214AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD214B-R3200 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CD214B-R3200-FT |
ACGRBT202-HF
Comchip Technology
ACGRBT203-HF
Comchip Technology
ACGRBT205-HF
Comchip Technology
ACGRBT302-HF
Comchip Technology
ACGRBT303-HF
Comchip Technology
ACGRBT305-HF
Comchip Technology
ACGRCT302-HF
Comchip Technology
CDBMH340-HF
Comchip Technology
CDBMH360-HF
Comchip Technology
ACDBUC0230-HF
Comchip Technology
A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-FGG256
Microsemi Corporation
10M50DCF256C7G
Intel
5SGXEA7N2F40C2N
Intel
EP3SE260H780I3
Intel
XC7V585T-1FF1761I
Xilinx Inc.
M1A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-7FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C25F324C6
Intel
5SGXEA3H1F35C2N
Intel