casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / CD214B-B3100R
codice articolo del costruttore | CD214B-B3100R |
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Numero di parte futuro | FT-CD214B-B3100R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CD214B-B3100R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 850mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 100V |
Capacità @ Vr, F | 180pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMB (DO-214AA) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CD214B-B3100R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CD214B-B3100R-FT |
1N5818 BK
Central Semiconductor Corp
1N5819 BK
Central Semiconductor Corp
CN645 BK
Central Semiconductor Corp
CN646 BK
Central Semiconductor Corp
CN646 TR
Central Semiconductor Corp
CN647 BK
Central Semiconductor Corp
CN647 TR
Central Semiconductor Corp
CN648 BK
Central Semiconductor Corp
CN648 TR
Central Semiconductor Corp
CN649 BK
Central Semiconductor Corp
XC2S30-6TQG144C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA3K3F40I3N
Intel
5SGXEB5R2F40C2L
Intel
5SGXMA5H1F35I2N
Intel
EP4SE360F35I3N
Intel
XC5VLX50T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V5-CS281I
Microsemi Corporation
EP20K1000EBC652-1
Intel
EPF10K130EQC240-2
Intel