casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CCS050M12CM2
codice articolo del costruttore | CCS050M12CM2 |
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Numero di parte futuro | FT-CCS050M12CM2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-FET™ Z-Rec™ |
CCS050M12CM2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 6 N-Channel (3-Phase Bridge) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 87A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 180nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2.810nF @ 800V |
Potenza - Max | 337W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CCS050M12CM2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CCS050M12CM2-FT |
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