casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / CBT50K10R
codice articolo del costruttore | CBT50K10R |
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Numero di parte futuro | FT-CBT50K10R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CBT, Neohm |
CBT50K10R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Resistenza | 10 Ohms |
Tolleranza | ±10% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Carbon Composition |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | -600/ +200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.142" Dia x 0.374" L (3.60mm x 9.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBT50K10R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBT50K10R-FT |
B20J650
Ohmite
B20J65K
Ohmite
B20J750
Ohmite
B20J75K
Ohmite
B20J800
Ohmite
B20J80K
Ohmite
B20J85K
Ohmite
B20J90K
Ohmite
B20J95K
Ohmite
B20J9K0
Ohmite
A1010B-2PQ100C
Microsemi Corporation
MPF300T-FCG1152I
Microsemi Corporation
AT40K10-2DQI
Microchip Technology
XC7VX485T-2FFG1930C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FFG1154C
Xilinx Inc.
LCMXO2-7000ZE-1FTG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K4F40E3LG
Intel
10AX115S4F45E3LG
Intel
EP2AGX65DF29C6N
Intel
5CEBA4U15C8N
Intel