casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / CBT50J3M3
codice articolo del costruttore | CBT50J3M3 |
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Numero di parte futuro | FT-CBT50J3M3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CBT, Neohm |
CBT50J3M3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 3.3 MOhms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Carbon Composition |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | -600/ +200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.142" Dia x 0.374" L (3.60mm x 9.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBT50J3M3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBT50J3M3-FT |
RR02J36KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J36KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J36KTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J360KTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J360KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J360KTB
TE Connectivity Passive Product
RR02J360RTB
TE Connectivity Passive Product
RR03J360RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J360RTB
TE Connectivity Passive Product
RR01J36RTB
TE Connectivity Passive Product
A54SX32A-2TQ144
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200HC-6TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
APA150-FG256I
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6LFTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE10F17C9LN
Intel
5SGSED6N3F45I4N
Intel
XC4028XL-09HQ208C
Xilinx Inc.
AX1000-FG676
Microsemi Corporation
LFXP20C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CGX110DF31I7N
Intel