casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / CBT50J33R
codice articolo del costruttore | CBT50J33R |
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Numero di parte futuro | FT-CBT50J33R |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CBT, Neohm |
CBT50J33R Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 33 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.5W, 1/2W |
Composizione | Carbon Composition |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | -600/ +200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.142" Dia x 0.374" L (3.60mm x 9.50mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBT50J33R Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBT50J33R-FT |
CBT50J4R7
TE Connectivity Passive Product
ROX3SJ4R7
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ4R7
TE Connectivity Passive Product
ROX1SJ4R7
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ROX3SG4R7
TE Connectivity Passive Product
ROX2SJ4K3
TE Connectivity Passive Product
RR02J4K3TB
TE Connectivity Passive Product
RR03J4K3TB
TE Connectivity Passive Product
RR01J4K3TB
TE Connectivity Passive Product
RR02J4R3TB
TE Connectivity Passive Product
XC6SLX150-N3FGG676C
Xilinx Inc.
M1A3P600-1PQ208
Microsemi Corporation
LFE2M100E-5F1152C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C16U484A7N
Intel
EP2AGX45DF25C4N
Intel
10AX048K2F35E2LG
Intel
5SGSMD8N3F45I4
Intel
XC5VLX50T-3FF665C
Xilinx Inc.
XC5VLX30-1FFG676C
Xilinx Inc.
EP1K30QC208-2
Intel