casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / CBT25J4R7
codice articolo del costruttore | CBT25J4R7 |
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Numero di parte futuro | FT-CBT25J4R7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CBT, Neohm |
CBT25J4R7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 4.7 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 0.25W, 1/4W |
Composizione | Carbon Composition |
Caratteristiche | Pulse Withstanding |
Coefficiente di temperatura | -700/ +400ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.094" Dia x 0.248" L (2.40mm x 6.30mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBT25J4R7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBT25J4R7-FT |
RR02J5R1TB
TE Connectivity Passive Product
RR01J5R1TB
TE Connectivity Passive Product
RR03J5R1TB
TE Connectivity Passive Product
CBT50J5R1
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CCR24R7KB
TE Connectivity Passive Product
CCR14R7KT
TE Connectivity Passive Product
CCR14K7KB
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CCR24K7KB
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RGP0207CHJ47M
TE Connectivity Passive Product
CBT25J47K
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XA3S200-4TQG144Q
Xilinx Inc.
M2GL010T-FGG484I
Microsemi Corporation
AGLN125V2-VQ100
Microsemi Corporation
A1440A-VQ100I
Microsemi Corporation
EP2S60F672C5N
Intel
5SGXMA4K2F35C2N
Intel
XC5VFX70T-1FF665CES
Xilinx Inc.
LFXP20E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000UHC-5FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F1020I6N
Intel