casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR6-060
codice articolo del costruttore | CBR6-060 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CBR6-060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR6-060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 6A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 3A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Square, CM |
Pacchetto dispositivo fornitore | CM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR6-060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR6-060-FT |
801-3
Microsemi Corporation
801-4
Microsemi Corporation
803-1
Microsemi Corporation
803-4
Microsemi Corporation
90MT100KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
90MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
90MT140KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
90MT160KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
90MT80KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
91MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX9-3FTG256C
Xilinx Inc.
XC4025E-4HQ304I
Xilinx Inc.
M1A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQ208
Microsemi Corporation
EPF10K200EBC600-1
Intel
5SGXMB6R3F43C4N
Intel
A54SX32A-1TQG100M
Microsemi Corporation
10AX066N2F40I2SGES
Intel
5AGXBB1D6F35C6N
Intel