casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1F-D060
codice articolo del costruttore | CBR1F-D060 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1F-D060 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1F-D060 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1F-D060 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1F-D060-FT |
689-6D, 6N, 6P
Microsemi Corporation
695-1
Microsemi Corporation
695-2
Microsemi Corporation
695-6
Microsemi Corporation
696-1
Microsemi Corporation
696-2
Microsemi Corporation
696-3
Microsemi Corporation
696-5
Microsemi Corporation
70MT100KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
70MT120KB
Vishay Semiconductor Diodes Division
LCMXO3LF-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100
Microsemi Corporation
EP2S15F484C4N
Intel
5SGXMA5N1F40C1N
Intel
5SGXMBBR3H43I3N
Intel
5SGXEA7H2F35C2LN
Intel
XC7V585T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
5AGXFB3H4F35C5N
Intel
5SGXMA3H3F35C4N
Intel
EP2A40F1020I8
Intel