casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1F-D010
codice articolo del costruttore | CBR1F-D010 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1F-D010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1F-D010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-EDIP (0.300", 7.62mm) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-DIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1F-D010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1F-D010-FT |
689-1D, 1N, 1P
Microsemi Corporation
689-2D, 2N, 2P
Microsemi Corporation
689-3D, 3N, 3P
Microsemi Corporation
689-4D, 4N, 4P
Microsemi Corporation
689-5D, 5N, 5P
Microsemi Corporation
689-6D, 6N, 6P
Microsemi Corporation
695-1
Microsemi Corporation
695-2
Microsemi Corporation
695-6
Microsemi Corporation
696-1
Microsemi Corporation
XC2S100-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-FG484
Microsemi Corporation
M1A3P1000L-1FG256
Microsemi Corporation
ICE5LP4K-CM36ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
10CX220YU484I5G
Intel
LFE2M50E-5FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3M100I
Lattice Semiconductor Corporation