casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1F-010
codice articolo del costruttore | CBR1F-010 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1F-010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1F-010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.3V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Circular, A Case |
Pacchetto dispositivo fornitore | A Case |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1F-010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1F-010-FT |
684-6
Microsemi Corporation
689-1D, 1N, 1P
Microsemi Corporation
689-2D, 2N, 2P
Microsemi Corporation
689-3D, 3N, 3P
Microsemi Corporation
689-4D, 4N, 4P
Microsemi Corporation
689-5D, 5N, 5P
Microsemi Corporation
689-6D, 6N, 6P
Microsemi Corporation
695-1
Microsemi Corporation
695-2
Microsemi Corporation
695-6
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4TN100I
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S1600E-4FGG400Q
Xilinx Inc.
XC2S100-5FGG256I
Xilinx Inc.
EP3SL70F484C2N
Intel
EP4SGX180KF40C4N
Intel
5SGXMA3K2F40I3N
Intel
XC7A200T-1SBG484I
Xilinx Inc.
XC3030-100PC68C
Xilinx Inc.
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXFA5H4F35C4N
Intel