casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR10A-J010
codice articolo del costruttore | CBR10A-J010 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR10A-J010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR10A-J010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Avalanche |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.2V @ 5A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | CM |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR10A-J010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR10A-J010-FT |
681-3D, 3N, 3P
Microsemi Corporation
681-4D, 4N, 4P
Microsemi Corporation
681-5D, 5N, 5P
Microsemi Corporation
681-6D, 6N, 6P
Microsemi Corporation
682-1
Microsemi Corporation
682-2
Microsemi Corporation
682-3
Microsemi Corporation
682-5
Microsemi Corporation
682-6
Microsemi Corporation
683-2
Microsemi Corporation
XC3S500E-5FTG256C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
EP3SE260F1517I3
Intel
XC2VP50-5FFG1152I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640E-4B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45E3LG
Intel
EP4SGX180DF29C2X
Intel