casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1-L100M
codice articolo del costruttore | CBR1-L100M |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1-L100M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1-L100M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 1kV |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 1000V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | B-M |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1-L100M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1-L100M-FT |
SC3BH1
Semtech Corporation
SC3BH2
Semtech Corporation
SC3BH6
Semtech Corporation
SC3BJ6
Semtech Corporation
SC3BK2F
Semtech Corporation
SC3BK4F
Semtech Corporation
SC3BK6
Semtech Corporation
SCBH6
Semtech Corporation
DD104N18KHPSA1
Infineon Technologies
0546260000
Weidmüller
A40MX02-1VQG80M
Microsemi Corporation
APA150-PQG208
Microsemi Corporation
AGLN250V5-ZVQ100
Microsemi Corporation
EP3CLS70F484C8
Intel
EP2AGZ225HF40I3N
Intel
5SGXEA9K2H40I3LN
Intel
5SGXEA3K2F35I3L
Intel
EP3SE80F1152I4L
Intel
AT6005-4JI
Microchip Technology
EP20K200EQC208-1
Intel