casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1-L010M
codice articolo del costruttore | CBR1-L010M |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1-L010M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1-L010M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-SIP |
Pacchetto dispositivo fornitore | B-M |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1-L010M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1-L010M-FT |
MP508-BP
Micro Commercial Co
RMB6S-TP
Micro Commercial Co
S3BR10
Semtech Corporation
SC3BA05
Semtech Corporation
SC3BA2
Semtech Corporation
SC3BH1
Semtech Corporation
SC3BH2
Semtech Corporation
SC3BH6
Semtech Corporation
SC3BJ6
Semtech Corporation
SC3BK2F
Semtech Corporation
A1010B-2PQG100C
Microsemi Corporation
XC6SLX100-L1CSG484C
Xilinx Inc.
XC6SLX45T-2FGG484C
Xilinx Inc.
M1A3P400-1FG484I
Microsemi Corporation
M2GL005S-VFG256
Microsemi Corporation
AGL250V2-VQ100I
Microsemi Corporation
5SEEBH40I2N
Intel
XC7V2000T-2FHG1761C
Xilinx Inc.
LCMXO2280E-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50RI240-4N
Intel