casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1-D020S
codice articolo del costruttore | CBR1-D020S |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1-D020S |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1-D020S Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 200V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 4-SMD, Gull Wing |
Pacchetto dispositivo fornitore | 4-SMDIP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1-D020S Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1-D020S-FT |
680-5
Microsemi Corporation
681-1D, 1N, 1P
Microsemi Corporation
681-2D, 2N, 2P
Microsemi Corporation
681-3D, 3N, 3P
Microsemi Corporation
681-4D, 4N, 4P
Microsemi Corporation
681-5D, 5N, 5P
Microsemi Corporation
681-6D, 6N, 6P
Microsemi Corporation
682-1
Microsemi Corporation
682-2
Microsemi Corporation
682-3
Microsemi Corporation
LCMXO2-2000ZE-3TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1TQG176
Microsemi Corporation
A42MX09-FVQG100
Microsemi Corporation
5SGSMD5K3F40I3N
Intel
5SGXMB5R3F40I4N
Intel
EP20K100EFI144-2X
Intel
XC5VLX50-2FFG676C
Xilinx Inc.
AGL030V5-QNG132I
Microsemi Corporation
LFE2-6E-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280E-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation