casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1-080
codice articolo del costruttore | CBR1-080 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1-080 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1-080 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 800V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Circular, A Case |
Pacchetto dispositivo fornitore | A Case |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1-080 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1-080-FT |
680-3
Microsemi Corporation
680-4
Microsemi Corporation
680-5
Microsemi Corporation
681-1D, 1N, 1P
Microsemi Corporation
681-2D, 2N, 2P
Microsemi Corporation
681-3D, 3N, 3P
Microsemi Corporation
681-4D, 4N, 4P
Microsemi Corporation
681-5D, 5N, 5P
Microsemi Corporation
681-6D, 6N, 6P
Microsemi Corporation
682-1
Microsemi Corporation
XC3S50-4PQG208I
Xilinx Inc.
XC3S1000-4FGG456I
Xilinx Inc.
XCKU060-L1FFVA1156I
Xilinx Inc.
A3P1000-1FG256M
Microsemi Corporation
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
5SGXMA3E2H29C1N
Intel
XC7K355T-2FFG901I
Xilinx Inc.
LFX200EB-03F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10CX150YF780I6G
Intel
10CL120YF780C8G
Intel