casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori a ponte / CBR1-010
codice articolo del costruttore | CBR1-010 |
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Numero di parte futuro | FT-CBR1-010 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CBR1-010 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Single Phase |
Tecnologia | Standard |
Voltage - Peak Reverse (Max) | 100V |
Corrente: media rettificata (Io) | 1.5A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1V @ 1A |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | 4-Circular, A Case |
Pacchetto dispositivo fornitore | A Case |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CBR1-010 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CBR1-010-FT |
679-5
Microsemi Corporation
679-6
Microsemi Corporation
680-1
Microsemi Corporation
680-2
Microsemi Corporation
680-3
Microsemi Corporation
680-4
Microsemi Corporation
680-5
Microsemi Corporation
681-1D, 1N, 1P
Microsemi Corporation
681-2D, 2N, 2P
Microsemi Corporation
681-3D, 3N, 3P
Microsemi Corporation
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel