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codice articolo del costruttore | CB2012T4R7M |
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Numero di parte futuro | FT-CB2012T4R7M |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T4R7M Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 4.7µH |
Tolleranza | ±20% |
Valutazione attuale | 580mA |
Corrente - Saturazione | 300mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 520 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 45MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T4R7M Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CB2012T4R7M-FT |
LB2016T100K
Taiyo Yuden
LB2016T101K
Taiyo Yuden
LB2016T101KV
Taiyo Yuden
LB2016T101M
Taiyo Yuden
LB2016T150K
Taiyo Yuden
LB2016T150M
Taiyo Yuden
LB2016T1R0M
Taiyo Yuden
LB2016T1R0MV
Taiyo Yuden
LB2016T1R5M
Taiyo Yuden
LB2016T220K
Taiyo Yuden
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel