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codice articolo del costruttore | CB2012T100KV |
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Numero di parte futuro | FT-CB2012T100KV |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CB |
CB2012T100KV Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
genere | Wirewound |
Materiale: core | Ferrite |
Induttanza | 10µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 300mA |
Corrente - Saturazione | 190mA |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 910 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | 32MHz |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 2.52MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 (2012 Metric) |
Dimensione / Dimensione | 0.079" L x 0.049" W (2.00mm x 1.25mm) |
Altezza - Seduto (max) | 0.057" (1.45mm) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CB2012T100KV Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CB2012T100KV-FT |
LBC2016T220M
Taiyo Yuden
LBC2016T2R2M
Taiyo Yuden
LBC2016T2R2MV
Taiyo Yuden
LBC2016T330K
Taiyo Yuden
LBC2016T330M
Taiyo Yuden
LBC2016T3R3M
Taiyo Yuden
LBC2016T470K
Taiyo Yuden
LBC2016T470M
Taiyo Yuden
LBC2016T680K
Taiyo Yuden
LBC2016T680M
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel