casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CAV25M01YE-GT3
codice articolo del costruttore | CAV25M01YE-GT3 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-CAV25M01YE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25M01YE-GT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25M01YE-GT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAV25M01YE-GT3-FT |
MR25H40CDCR
Everspin Technologies Inc.
MT25QL128ABA1EW7-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QL128ABA1EW7-MSIT TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A11EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q032A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640E
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640F TR
Micron Technology Inc.
N25Q064A13EF640FN02 TR
Micron Technology Inc.
XC4006E-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FGG900C
Xilinx Inc.
LFE3-17EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10M08DCF484I7G
Intel
EP3CLS150F484C8
Intel
EP4CE115F23C7
Intel
XC2VP20-6FFG1152I
Xilinx Inc.
LCMXO2-4000HE-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX027E2F27E1HG
Intel
EP4SGX360HF35I3N
Intel