casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CAV25M01VE-GT3
codice articolo del costruttore | CAV25M01VE-GT3 |
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Numero di parte futuro | FT-CAV25M01VE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25M01VE-GT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25M01VE-GT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAV25M01VE-GT3-FT |
BQ2026LPR
Texas Instruments
BQ2022LPR
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BQ2022LPRE3
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CAT24C01ZI-G
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XC3S1000-4FGG320I
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M1A3P600L-FG484I
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M2GL050TS-1FG484I
Microsemi Corporation
5SGXMA5N3F40C4N
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EP2AGZ350FH29I4N
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5SGSED6N1F45I2N
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XC5VFX130T-1FFG1738I
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XC7VX485T-1FFG1157I
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EPF10K70RC240-3N
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5AGZME1H3F35C4N
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