casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CAV25512YE-GT3
codice articolo del costruttore | CAV25512YE-GT3 |
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Numero di parte futuro | FT-CAV25512YE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV25512YE-GT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 512Kb (64K x 8) |
Frequenza di clock | 10MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-TSSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV25512YE-GT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAV25512YE-GT3-FT |
CAT25010YI-G
ON Semiconductor
AT24C512C-XHM-B
Microchip Technology
AT93C46E-TH-B
Microchip Technology
CAT24C64YI-G
ON Semiconductor
CAT24C32YI-G
ON Semiconductor
AT93C46D-TH-B
Microchip Technology
AT24CM01-XHD-B
Microchip Technology
AT25512-TH-B
Microchip Technology
AT34C02B-10TU-1.7
Microchip Technology
AT25128B-XHL-B
Microchip Technology
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel