casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CAV24M01WE-GT3
codice articolo del costruttore | CAV24M01WE-GT3 |
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Numero di parte futuro | FT-CAV24M01WE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV24M01WE-GT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 1Mb (128K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 400ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV24M01WE-GT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAV24M01WE-GT3-FT |
CAT24C32TSI-T3
ON Semiconductor
BQ2022ALPR
Texas Instruments
BQ2026LPR
Texas Instruments
BQ2022LPR
Texas Instruments
BQ2022LPRE3
Texas Instruments
CAT24C01ZI-G
ON Semiconductor
CAT24C01ZI-GT3
ON Semiconductor
CAT24C02ZI-GT3
ON Semiconductor
CAT24C02ZI-GT3A
ON Semiconductor
CAT24C04ZI-G
ON Semiconductor
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel