casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / CAV24C128WE-GT3
codice articolo del costruttore | CAV24C128WE-GT3 |
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Numero di parte futuro | FT-CAV24C128WE-GT3 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
CAV24C128WE-GT3 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | EEPROM |
Tecnologia | EEPROM |
Dimensione della memoria | 128Kb (16K x 8) |
Frequenza di clock | 1MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 5ms |
Tempo di accesso | 400ns |
Interfaccia di memoria | I²C |
Tensione - Fornitura | 2.5V ~ 5.5V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SOIC |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAV24C128WE-GT3 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAV24C128WE-GT3-FT |
R1LV0216BSB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0808ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-5SI#S0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#B0
Renesas Electronics America
R1LV0816ASB-7SI#S0
Renesas Electronics America
R1RW0416DSB-2PI#D0
Renesas Electronics America
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-6BG400I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX290NF45I4N
Intel
XC7VX690T-2FFG1761C
Xilinx Inc.
XC7S50-1CSGA324C
Xilinx Inc.
APA075-TQG100
Microsemi Corporation
A42MX24-3PLG84I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K50SBC356-2X
Intel
5SGXMA3H2F35C2N
Intel