casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFET - Array / CAS300M12BM2
codice articolo del costruttore | CAS300M12BM2 |
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Numero di parte futuro | FT-CAS300M12BM2 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-FET™ |
CAS300M12BM2 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
Caratteristica FET | Silicon Carbide (SiC) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 423A (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.7 mOhm @ 300A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 15mA (Typ) |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 1025nC @ 20V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 11700pF @ 600V |
Potenza - Max | 1660W |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | Module, Screw Terminals |
Pacchetto dispositivo fornitore | Module |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAS300M12BM2 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAS300M12BM2-FT |
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