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codice articolo del costruttore | CAL45VB5R6K |
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Numero di parte futuro | FT-CAL45VB5R6K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CA, L Type |
CAL45VB5R6K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 5.6µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 2.1A |
Corrente - Saturazione | 2.5A |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 89 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.173" Dia x 0.315" L (4.40mm x 8.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAL45VB5R6K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAL45VB5R6K-FT |
BX8259WNLST
Pulse Electronics Network
BX8259WNLT
Pulse Electronics Network
BX8259WT
Pulse Electronics Network
CAL45KB101K
Taiyo Yuden
CAL45TB100K
Taiyo Yuden
CAL45TB101K
Taiyo Yuden
CAL45TB101K-1K
Taiyo Yuden
CAL45TB102K
Taiyo Yuden
CAL45TB103K
Taiyo Yuden
CAL45TB103K-1K
Taiyo Yuden
XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel