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codice articolo del costruttore | CAL45TB2R2K |
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Numero di parte futuro | FT-CAL45TB2R2K |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | CA, L Type |
CAL45TB2R2K Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
genere | Wirewound |
Materiale: core | - |
Induttanza | 2.2µH |
Tolleranza | ±10% |
Valutazione attuale | 3.9A |
Corrente - Saturazione | - |
Schermatura | Unshielded |
Resistenza DC (DCR) | 54 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frequenza - Autorisonante | - |
Giudizi | - |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 105°C |
Frequenza di induttanza - Test | 7.96MHz |
Caratteristiche | - |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Dimensione / Dimensione | 0.173" Dia x 0.315" L (4.40mm x 8.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CAL45TB2R2K Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | CAL45TB2R2K-FT |
B82469G1152M
EPCOS (TDK)
B82469G1153M
EPCOS (TDK)
B82469G1222M
EPCOS (TDK)
B82469G1223M
EPCOS (TDK)
B82469G1332M
EPCOS (TDK)
B82469G1391M
EPCOS (TDK)
B82469G1472M
EPCOS (TDK)
B82469G1682M
EPCOS (TDK)
B82469G1911M
EPCOS (TDK)
B82470A1332M
EPCOS (TDK)
XC6SLX150-3FGG900I
Xilinx Inc.
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
M2GL025T-1FCSG325
Microsemi Corporation
EP3C16F484C7
Intel
5SGSMD4K2F40I3L
Intel
EP1M350F780I6N
Intel
LCMXO3LF-9400E-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2S90F780C4N
Intel
EPF6016QC240-3N
Intel
5SGSMD3H1F35C1N
Intel