casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / C4D20120H
codice articolo del costruttore | C4D20120H |
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Numero di parte futuro | FT-C4D20120H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C4D20120H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 54A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 20A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 1.5nF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D20120H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C4D20120H-FT |
PR1005-T
Diodes Incorporated
SB120-T
Diodes Incorporated
SB140-T
Diodes Incorporated
SB150-T
Diodes Incorporated
SB160-T
Diodes Incorporated
SB170-T
Diodes Incorporated
SB180-T
Diodes Incorporated
SB190-T
Diodes Incorporated
UF1004-T
Diodes Incorporated
UF1005-T
Diodes Incorporated
EP20K30EFC144-2X
Intel
XC6VCX240T-2FFG1156I
Xilinx Inc.
A42MX24-PQ160M
Microsemi Corporation
LFEC15E-3FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-6FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2280C-3BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC4C6F23I7N
Intel
EP2AGX65DF29C6
Intel
EP20K160EQC240-1N
Intel