casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / C4D10120H
codice articolo del costruttore | C4D10120H |
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Numero di parte futuro | FT-C4D10120H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C4D10120H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 31.5A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 250µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 754pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-247-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D10120H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C4D10120H-FT |
PR1004-T
Diodes Incorporated
PR1005-T
Diodes Incorporated
SB120-T
Diodes Incorporated
SB140-T
Diodes Incorporated
SB150-T
Diodes Incorporated
SB160-T
Diodes Incorporated
SB170-T
Diodes Incorporated
SB180-T
Diodes Incorporated
SB190-T
Diodes Incorporated
UF1004-T
Diodes Incorporated
LCMXO2-256ZE-2TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3090-100PQ208C
Xilinx Inc.
M2GL025TS-1FG484I
Microsemi Corporation
M1A3P600-2PQ208
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F40I3LN
Intel
10CL010ZE144I8G
Intel
EP1AGX90EF1152C6
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
M1AGL600V5-FG144
Microsemi Corporation
EP20K100EQC208-1X
Intel