casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / C4D02120E-TR
codice articolo del costruttore | C4D02120E-TR |
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Numero di parte futuro | FT-C4D02120E-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C4D02120E-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 10A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 2A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 167pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C4D02120E-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C4D02120E-TR-FT |
RS2BA-13-F
Diodes Incorporated
RS2KA-13-F
Diodes Incorporated
S2KA-13-F
Diodes Incorporated
B1100-13
Diodes Incorporated
B120-13
Diodes Incorporated
B130-13
Diodes Incorporated
B130L-13
Diodes Incorporated
B140-13
Diodes Incorporated
B150-13
Diodes Incorporated
B160-13
Diodes Incorporated
XC4010E-2BG225I
Xilinx Inc.
A3P1000L-FG484I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQ208I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208A
Microsemi Corporation
5SGXMB5R2F40C2N
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
XC7K325T-2FF900I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-2100C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F780C2
Intel