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Cree/Wolfspeed C3M0120090D

Numero parte MFG
C3M0120090D
quantità disponibile
90840 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 5.4
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fabbricante
Cree/Wolfspeed
Breve descrizione
C3M™ 900V 120 MOHM G3 SIC MOSFET
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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C3M0120090D specificazioni

codice articolo del costruttore C3M0120090D
Numero di parte futuro FT-C3M0120090D
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie C3M™
C3M0120090D Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 900V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 23A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 155 mOhm @ 15A, 15V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 3mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 17.3nC @ 15V
Vgs (massimo) +18V, -8V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 350pF @ 600V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 97W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C3M0120090D Peso Contattaci
Numero parte di ricambio C3M0120090D-FT

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