casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / C3D10060G
codice articolo del costruttore | C3D10060G |
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Numero di parte futuro | FT-C3D10060G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C3D10060G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 29A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 480pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D10060G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3D10060G-FT |
MMBD1501A_D87Z
ON Semiconductor
MMBD1502A
ON Semiconductor
MMBD1701
ON Semiconductor
MMBD1701A
ON Semiconductor
MMBD1702A
ON Semiconductor
MMBD4148
ON Semiconductor
MMBD4148-D87Z
ON Semiconductor
MMBD914
ON Semiconductor
MMBD914LT3HTMA1
Infineon Technologies
MMBD914_D87Z
ON Semiconductor
XC6SLX4-2TQG144I
Xilinx Inc.
A54SX08-2TQ144I
Microsemi Corporation
XCVU095-H1FFVC1517E
Xilinx Inc.
EPF10K130EFC672-2X
Intel
10AX027E3F27E2SG
Intel
EP3SL110F1152C4LN
Intel
XC4005XL-1PC84C
Xilinx Inc.
LFE2-6SE-6F256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-4MN132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35C4
Intel