casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / C3D10060G-TR
codice articolo del costruttore | C3D10060G-TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-C3D10060G-TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-Rec® |
C3D10060G-TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 29A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 480pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-263-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3D10060G-TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3D10060G-TR-FT |
B2100A-13-F
Diodes Incorporated
RS1J-13-F
Diodes Incorporated
RS2BA-13-F
Diodes Incorporated
RS2KA-13-F
Diodes Incorporated
S2KA-13-F
Diodes Incorporated
B1100-13
Diodes Incorporated
B120-13
Diodes Incorporated
B130-13
Diodes Incorporated
B130L-13
Diodes Incorporated
B140-13
Diodes Incorporated
EPF10K20TC144-3N
Intel
LFE2-20SE-6QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
AGLN250V5-ZCSG81
Microsemi Corporation
A42MX16-2PQ208I
Microsemi Corporation
A3P250L-1VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-1
Intel
10AX032H4F35E3SG
Intel
XC7VX1140T-1FLG1926C
Xilinx Inc.
10AX090R1F40E1SG
Intel
EP3SL70F780C3
Intel