casa / prodotti / resistenze / Resistori a foro passante / C3A6R2JT
codice articolo del costruttore | C3A6R2JT |
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Numero di parte futuro | FT-C3A6R2JT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | C, CGS |
C3A6R2JT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Resistenza | 6.2 Ohms |
Tolleranza | ±5% |
Potenza (Watt) | 3W |
Composizione | Wirewound |
Caratteristiche | - |
Coefficiente di temperatura | ±200ppm/°C |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 200°C |
Pacchetto / caso | Axial |
Pacchetto dispositivo fornitore | Axial |
Dimensione / Dimensione | 0.224" Dia x 0.512" L (5.70mm x 13.00mm) |
Altezza - Seduto (max) | - |
Numero di terminazioni | 2 |
Tasso di fallimento | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C3A6R2JT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C3A6R2JT-FT |
C7R10JT
TE Connectivity Passive Product
C7R12JT
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C7R15JT
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C7R16JT
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C7R18JT
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C7R22JT
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C7R24JT
TE Connectivity Passive Product
C7R27JT
TE Connectivity Passive Product
C7R33JT
TE Connectivity Passive Product
C7R39JT
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XC3S250E-4FTG256I
Xilinx Inc.
LAXP2-17E-5FTN256E
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-1FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K130EBC600-1
Intel
5SGXMA5K2F35C2N
Intel
XC5VLX110T-1FF1136C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FGG144M
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45I2LG
Intel
5SGSMD4H2F35C2LN
Intel