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Cree/Wolfspeed C2M0160120D

Numero parte MFG
C2M0160120D
quantità disponibile
42740 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 7
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fabbricante
Cree/Wolfspeed
Breve descrizione
Z-FET™ MOSFET N-CH 1200V 19A TO-247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - FET, MOSFETs - Single
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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C2M0160120D specificazioni

codice articolo del costruttore C2M0160120D
Numero di parte futuro FT-C2M0160120D
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie Z-FET™
C2M0160120D Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 196 mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 500µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 32.6nC @ 20V
Vgs (massimo) +25V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 527pF @ 800V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
C2M0160120D Peso Contattaci
Numero parte di ricambio C2M0160120D-FT

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