casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - FET, MOSFETs - Single / C2M0025120D
codice articolo del costruttore | C2M0025120D |
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Numero di parte futuro | FT-C2M0025120D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Z-FET™ |
C2M0025120D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 1200V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 90A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 20V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 34 mOhm @ 50A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.4V @ 10mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 161nC @ 20V |
Vgs (massimo) | +25V, -10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2788pF @ 1000V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 463W (Tc) |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247-3 |
Pacchetto / caso | TO-247-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2M0025120D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C2M0025120D-FT |
ZVN2106GTA
Diodes Incorporated
ZVN4306GTA
Diodes Incorporated
ZXMN10A25GTA
Diodes Incorporated
ZXMN7A11GTA
Diodes Incorporated
DMN3032LE-13
Diodes Incorporated
DMP10H400SEQ-13
Diodes Incorporated
ZXMN10A11GTA
Diodes Incorporated
ZXMP3A16GTA
Diodes Incorporated
ZXMP6A17GQTA
Diodes Incorporated
DMN10H220LE-13
Diodes Incorporated
A54SX32-TQG144I
Microsemi Corporation
XC4013XL-09PQ208C
Xilinx Inc.
M7A3P1000-1FGG256I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3SE260H780I4LN
Intel
AGLP060V5-CS289
Microsemi Corporation
A54SX32A-2TQG100I
Microsemi Corporation
10AX090N4F40E3SG
Intel
10AX115N3F40I3SGES
Intel