casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / C2D10120A
codice articolo del costruttore | C2D10120A |
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Numero di parte futuro | FT-C2D10120A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Zero Recovery™ |
C2D10120A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Silicon Carbide Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 31A (DC) |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 10A |
Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 200µA @ 1200V |
Capacità @ Vr, F | 1000pF @ 0V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto / caso | TO-220-2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220-2 |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
C2D10120A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | C2D10120A-FT |
1N4007GL-T
Diodes Incorporated
1N4007L-T
Diodes Incorporated
1N4933GL-T
Diodes Incorporated
1N4933L-T
Diodes Incorporated
1N4934L-T
Diodes Incorporated
1N4935GL-T
Diodes Incorporated
1N4935L-T
Diodes Incorporated
1N4936GL-T
Diodes Incorporated
1N4936L-T
Diodes Incorporated
1N4937GL-T
Diodes Incorporated
XC7A50T-L1CSG325I
Xilinx Inc.
APA600-CGS624M
Microsemi Corporation
M1A3PE3000-2FGG484
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3DQC
Microchip Technology
A42MX24-PL84M
Microsemi Corporation
AGL250V2-FGG144I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-1300C-6BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP1S40F780C6N
Intel
EPF10K30RC240-3
Intel
EP20K400ERC208-3
Intel