casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZY55B10 RYG
codice articolo del costruttore | BZY55B10 RYG |
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Numero di parte futuro | FT-BZY55B10 RYG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
BZY55B10 RYG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 10V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 500mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 7.5V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.5V @ 10mA |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 0805 (2012 Metric) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 0805 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZY55B10 RYG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZY55B10 RYG-FT |
1N3995RA
Microsemi Corporation
1N3996A
Microsemi Corporation
1N3996RA
Microsemi Corporation
1N3997A
Microsemi Corporation
1N3997RA
Microsemi Corporation
1N3999
Microsemi Corporation
1N3999A
Microsemi Corporation
1N4557B
Microsemi Corporation
1N4557RB
Microsemi Corporation
1N4558B
Microsemi Corporation
XC4013E-1PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-2FGG484C
Xilinx Inc.
LCMXO1200C-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A3P250L-1VQ100I
Microsemi Corporation
AGLN125V5-VQG100I
Microsemi Corporation
EP3SL200F1517C3N
Intel
5SGSMD6N3F45I4N
Intel
A54SX08A-2TQ100I
Microsemi Corporation
AGL400V2-CSG196I
Microsemi Corporation
EP4SGX230FF35C3ES
Intel