casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX84C6V8-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX84C6V8-HE3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX84C6V8-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX84C6V8-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 6.8V |
Tolleranza | ±5% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 15 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 3µA @ 4V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX84C6V8-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX84C6V8-HE3-18-FT |
BZX84C30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C33-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C33-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C33-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C33-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C33-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C36-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C36-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C36-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel