casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX84B62-G3-18
codice articolo del costruttore | BZX84B62-G3-18 |
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Numero di parte futuro | FT-BZX84B62-G3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX84B62-G3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 62V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 215 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50nA @ 43.4V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX84B62-G3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX84B62-G3-18-FT |
BZX84B2V7-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B2V7-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B2V7-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B2V7-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B30-E3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B30-G3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B30-G3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B30-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B30-HE3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B33-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
LFXP2-5E-5TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
EX128-PTQ100
Microsemi Corporation
XCV300E-6FG456I
Xilinx Inc.
A3PE3000-1FG484
Microsemi Corporation
A54SX16A-FPQ208
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-4FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXMA7N2F40I3N
Intel
5SGXMA3K2F40C2N
Intel
XC5VLX30-1FF324C
Xilinx Inc.
M2GL060-FGG676
Microsemi Corporation