casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Zener - Single / BZX84B12-HE3-18
codice articolo del costruttore | BZX84B12-HE3-18 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-BZX84B12-HE3-18 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
BZX84B12-HE3-18 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 12V |
Tolleranza | ±2% |
Potenza - Max | 300mW |
Impedenza (Max) (Zzt) | 25 Ohms |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 8V |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23-3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
BZX84B12-HE3-18 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | BZX84B12-HE3-18-FT |
BZX55A6V8-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55A7V5-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55A8V2-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX55A9V1-TAP
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C6V2-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C10-HE3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C10-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84C3V3-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BZX84B9V1-E3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XA7A75T-2FGG484I
Xilinx Inc.
EP4CGX30CF23I7N
Intel
10M25DCF256A7G
Intel
EP3C10F256C8
Intel
10AX032H2F34I2LG
Intel
XC5VSX35T-2FFG665I
Xilinx Inc.
AGL600V2-CSG281
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000ZE-1MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX95EF29I5N
Intel